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GLOBALFOUNDRIES联合Arm开展3D堆栈芯片开发

2019-08-13 08:38

GF的12LP工艺上的Arm互连技术可实现高性能和低延迟,同时为AI,云计算和移动SoC中的多核设计增加带宽

日前,GLOBALFOUNDRIES宣布,它已经开发出基于Arm的3D高密度芯片,该芯片满足实现更高水平的系统计算应用程序(如AI / ML和高端消费者移动和无线解决方案)的性能和功效。新芯片采用GF的12nm(12LP)FinFET工艺制造,采用3D的Arm互连技术,允许数据更直接地进行内核传输,从而最大限度地减少延迟,满足数据中心、边缘计算和高端消费电子应用所需的数据传输速率。

该芯片的交付展示了Arm和GF在研究和开发差异化解决方案方面所取得的快速进展,这些解决方案可以提高产品的密度和性能,实现可扩展的高性能计算。此外,双方还使用了GF的混合晶圆与晶圆键合 3D DFT方法,该方法可实现每平方毫米多达100万个3D连接,从而满足了未来12nm的设计扩展的可能。

“Arm的3D互连技术使半导体行业能够继续延续摩尔定律,以满足更多样化的计算应用。”Arm研发副总裁Eric Hennenhoefer表示。“GF在制造和先进封装能力方面的专业知识,结合Arm技术,为我们的共同合作伙伴提供了额外的差异化,为下一代高性能计算开辟了新的范例。”

“在大数据和认知计算时代,先进的封装技术正在发挥比以往更大的作用。人工智能的使用以及对高能效,高吞吐量互连的需求正在通过先进的封装方式推动处理器的演进。“GF的平台首席技术专家John Pellerin表示。“我们很高兴与Arm等创新合作伙伴合作,提供先进的封装解决方案,进一步集成了各种节点技术,这些技术针对逻辑扩展,内存带宽和RF性能进行了优化且具有小尺寸。这项工作将使我们能够发现先进封装的新见解,使我们的共同客户能够更有效地创建完整,差异化的解决方案。“

GF的业务模式已经转变,使其客户能够开发新的市场和专注于应用的解决方案,专为满足当今苛刻市场的需求而设计。 GF的3D面对面(Face-to-Face)封装解决方案不仅为设计人员提供了异构逻辑和逻辑/存储器集成的途径,而且可以使用最佳制程制造,从而实现更低的延迟,更高的带宽和更小的特征尺寸。这种方法以及早期与Arm等合作伙伴的合作,为客户提供了最大的选择和灵活性,同时为其下一代产品节省了成本并缩短了量产时间。

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